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SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7113adn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
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Technische Details SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 27.8W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm.

Weitere Produktangebote SI7113ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 6.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7113adn.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.87 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
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SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7113adn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
auf Bestellung 23623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
20+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SI7113ADN-T1-GE3 SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
auf Bestellung 42644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7113ADN-T1-GE3 Siliconix si7113adn.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V
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SI7113ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7113ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 10.8 A, 0.132 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 10.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
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