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SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3 Vishay

si7115dn.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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Technische Details SI7115DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay si7115dn.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.11 EUR
88+1.98 EUR
100+1.73 EUR
200+1.63 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
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SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 0.295Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.64 EUR
37+2.34 EUR
100+1.65 EUR
250+1.45 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7115dn.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.78 EUR
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SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.65 EUR
51+4.59 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 0.295Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
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Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+5.43 EUR
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SI7115DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 304 Stücke:
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