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SI7116BDN-T1-GE3

SI7116BDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET
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Technische Details SI7116BDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7116BDN-T1-GE3 SI7116BDN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7116BDN-T1-GE3 SI7116BDN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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