SI7116BDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SI7116BDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
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Preis ohne MwSt |
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SI7116BDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SI7116BDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 11968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7116BDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 18.4A T/R |
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| SI7116BDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 65A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 65A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 62.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke |
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SI7116BDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK |
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SI7116BDN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK |
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| SI7116BDN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 65A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 65A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 62.5W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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