SI7121ADN-T1-GE3
Produktcode: 171550
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -50A Drain-source voltage: -30V Drain current: -12A Gate charge: 50nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 17.8W Gate-source voltage: ±25V |
auf Bestellung 1848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 20818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V |
auf Bestellung 10654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7121ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |