Produkte > VISHAY > SI7121ADN-T1-GE3
SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3 Vishay

si7121adn.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7121ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI7121ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.49 EUR
18000+0.43 EUR
27000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7121adn.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 20818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.25 EUR
10+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
auf Bestellung 10654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
20+0.92 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
105+0.68 EUR
116+0.62 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
105+0.68 EUR
116+0.62 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3
Produktcode: 171550
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

si7121adn.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH