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SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3 Vishay

si7121adn.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SI7121ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7121adn.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000785981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7121ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0125 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7121ADN-T1-GE3 SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7121adn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2746 Stücke:
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Anzahl Preis
97+0.74 EUR
113+0.64 EUR
139+0.52 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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SI7121ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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