SI7129DN-T1-GE3

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Produktcode: 52238
Hersteller:
Elektronische Bauelemente und Systeme - Verschiedene Bauteile 2

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Technische Details SI7129DN-T1-GE3

Preis SI7129DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SI7129DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
QFN-8 09+
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914 Stücke
SI7129DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
09+ QFN-8
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SI7129DN-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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auf Bestellung 5230 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 14.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SI7129DN-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
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auf Bestellung 7160 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI7129DN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
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