SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.08 EUR |
| 6000+ | 1.04 EUR |
| 9000+ | 1.01 EUR |
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Technische Details SI7149DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7149DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.12 EUR bis 2.46 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V |
auf Bestellung 22773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V |
auf Bestellung 15384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A; 44.4W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A On-state resistance: 5.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 44.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 147nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7149DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -70A; 44.4W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A On-state resistance: 5.2mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 44.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 147nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD |
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