SI7153DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.4 EUR |
| 6000+ | 0.37 EUR |
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Technische Details SI7153DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7153DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SI7153DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SI7153DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -100A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerPAK® 1212-8 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Gate charge: 62nC On-state resistance: 15mΩ Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 52W |
auf Bestellung 2888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7153DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 9033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7153DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7153DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7153DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |