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SI7155DP-T1-GE3

SI7155DP-T1-GE3 Vishay

si7155dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7155DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7155dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7155dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
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52+2.88 EUR
62+2.31 EUR
63+2.18 EUR
100+1.63 EUR
250+1.49 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.07 EUR
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SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si7155dp.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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250+1.78 EUR
500+1.64 EUR
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SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7155dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
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SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2606255.pdf Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SI7155DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7155dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8
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10+3.89 EUR
100+3.42 EUR
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SI7155DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7155dp.pdf SI7155DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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