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SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3 Vishay


si7157dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7157DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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92+1.60 EUR
93+1.53 EUR
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250+1.06 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.70 EUR
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SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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68+2.17 EUR
92+1.54 EUR
93+1.47 EUR
122+1.07 EUR
250+1.02 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.72 EUR
3000+0.70 EUR
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SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7157dp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
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7+2.82 EUR
10+2.15 EUR
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500+1.21 EUR
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SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7157dp.pdf Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1068 Stücke:
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SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7157dp.pdf Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5523 Stücke:
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SI7157DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7157dp.pdf транзистор полевой, MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
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SI7157DP-T1-GE3
Produktcode: 148717
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
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