Produkte > Verschiedene Bauteile > Other components 3 > SI7157DP-T1-GE3

SI7157DP-T1-GE3

si7157dp.pdf
Produktcode: 148717
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SI7157DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 6.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.32 EUR
9000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.65 EUR
121+1.45 EUR
128+1.34 EUR
250+1.3 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay si7157dp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.93 EUR
108+1.59 EUR
121+1.37 EUR
128+1.25 EUR
250+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7157dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
auf Bestellung 34742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
50+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7157dp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 SI7157DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.7 EUR
76+3.06 EUR
100+2.55 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.32 EUR
9000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+1.65 EUR
121+1.45 EUR
128+1.34 EUR
250+1.3 EUR
500+1.13 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.93 EUR
108+1.59 EUR
121+1.37 EUR
128+1.25 EUR
250+1.18 EUR
500+1 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00125ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 625 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22000 pF @ 10 V
auf Bestellung 34742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.58 EUR
10+2.95 EUR
50+2.24 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 si7157dp.pdf
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.61 EUR
10+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7157DP-T1-GE3 VISH-S-A0000185703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7157DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7157DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.7 EUR
76+3.06 EUR
100+2.55 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH