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SI7164DP-T1-GE3

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Produktcode: 164214
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 VISHAY si7164dp.pdf Description: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.00625 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7164dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+5.07 EUR
100+3.56 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.75 EUR
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SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7164dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
10+5.14 EUR
100+3.61 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 VISHAY si7164dp.pdf Description: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 6250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
38+6.25 EUR
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7164DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.00625 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+2.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+3.56 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.75 EUR
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SI7164DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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500+2.95 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7164DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 6250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.17 EUR
38+6.25 EUR
100+4.05 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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