Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7172ADP-T1-RE3
SI7172ADP-T1-RE3

SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

si7172adp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.89 EUR
6000+0.83 EUR
9000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Weitere Produktangebote SI7172ADP-T1-RE3 nach Preis ab 0.96 EUR bis 3.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7172adp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
auf Bestellung 14212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix si7172adp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 13823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.01 EUR
100+1.37 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0011029470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
SI7172ADP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
auf Bestellung 14212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.31 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
SI7172ADP-T1-RE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 13823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.36 EUR
10+2.01 EUR
100+1.37 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7172ADP-T1-RE3 VISH-S-A0011029470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7172ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 10310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH