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SI7190ADP-T1-RE3

SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix


si7190adp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
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Technische Details SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7190adp.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7190adp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
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5+3.64 EUR
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SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 2606256.pdf Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 2606256.pdf Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.085 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Hersteller : Vishay si7190adp.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7190ADP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY si7190adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 6000 Stücke
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SI7190ADP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY si7190adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 14.4A; Idm: 30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
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