Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7190ADP-T1-RE3
SI7190ADP-T1-RE3

SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

vis-si7190adp-t1-re3.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm.

Weitere Produktangebote SI7190ADP-T1-RE3 nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix vis-si7190adp-t1-re3.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.15 EUR
10+2.03 EUR
100+1.72 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Semiconductors vis-si7190adp-t1-re3.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 15355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.22 EUR
10+2.64 EUR
100+1.56 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0011029476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0011029476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3 vis-si7190adp-t1-re3.pdf
SI7190ADP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.15 EUR
10+2.03 EUR
100+1.72 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3 vis-si7190adp-t1-re3.pdf
SI7190ADP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 15355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.22 EUR
10+2.64 EUR
100+1.56 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3 VISH-S-A0011029476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7190ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7190ADP-T1-RE3 VISH-S-A0011029476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7190ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH