SI7190DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI7190DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 18.4A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 96W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 124mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 72nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7190DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| SI7190DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 96W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 124mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7190DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7190DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 |
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| SI7190DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 18.4A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 96W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 124mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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