Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7212DN-T1-GE3
SI7212DN-T1-GE3

SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7212dn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.97 EUR
6000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7212DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Weitere Produktangebote SI7212DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7212dn.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.59 EUR
10+1.83 EUR
100+1.39 EUR
250+1.36 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3 SI7212DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7212dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 24564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.45 EUR
10+2.20 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3 si7212dn.pdf
auf Bestellung 351000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7212DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7212dn.pdf SI7212DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH