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SI7216DN-T1-GE3

SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7216dn.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.21 EUR
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Technische Details SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI7216DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.12 EUR bis 4.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
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Qualifikation: -
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Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.12 EUR
104+2.24 EUR
135+1.59 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.12 EUR
104+2.24 EUR
135+1.59 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7216dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 15746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.59 EUR
100+1.83 EUR
500+1.25 EUR
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SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7216dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
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Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
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SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 Vishay si7216dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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SI7216DN-T1-GE3 VISH-S-A0001142660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7216DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7216DN-T1-GE3 VISH-S-A0001142660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7216DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7216DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.12 EUR
104+2.24 EUR
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500+1.25 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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1+4.25 EUR
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100+1.83 EUR
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SI7216DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.27 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7216DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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