SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.16 EUR |
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Technische Details SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI7220DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.24 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI7220DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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SI7220DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
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SI7220DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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SI7220DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7220DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7220DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.8A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.6W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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