SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
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Technische Details SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SI7220DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SI7220DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7220DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7220DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 24661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7220DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212 Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 64267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7220DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1500+ | 1.75 EUR |
| SI7220DN-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SI7220DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.048 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.98 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 103+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1500+ | 1.75 EUR |
| SI7220DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 24661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.5 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 3000+ | 1.33 EUR |
| SI7220DN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 64267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.84 EUR |
| 10+ | 3.11 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| 1000+ | 1.57 EUR |