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SI7232DN-T1-GE3

SI7232DN-T1-GE3 Vishay

si7232dn.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SI7232DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7232dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 11880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.27 EUR
138+1.25 EUR
199+0.84 EUR
250+0.82 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
137+1.24 EUR
138+1.18 EUR
199+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7232dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 11880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.46 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.84 EUR
112+1.55 EUR
160+1.05 EUR
200+0.98 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7232dn.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 7569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
121+1.92 EUR
180+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1200 Stücke:
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100+3.27 EUR
121+1.92 EUR
180+1.19 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7232DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 11880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
137+1.27 EUR
138+1.25 EUR
199+0.84 EUR
250+0.82 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+1.48 EUR
137+1.24 EUR
138+1.18 EUR
199+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 11880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.68 EUR
15+1.46 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+1.84 EUR
112+1.55 EUR
160+1.05 EUR
200+0.98 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 7569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+3.27 EUR
121+1.92 EUR
180+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.27 EUR
121+1.92 EUR
180+1.19 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH