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Technische Details SI7232DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SI7232DN-T1-GE3 nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 35244 Stücke: Lieferzeit 189-203 Tag (e) |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4706 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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| SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7232DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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