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SI7252ADP-T1-GE3

SI7252ADP-T1-GE3 Vishay

si7252adp.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5955 Stücke:
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148+1.19 EUR
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Technische Details SI7252ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252adp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay si7252adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.43 EUR
135+1.26 EUR
136+1.21 EUR
137+1.15 EUR
146+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY 3183559.pdf Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.46 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 VISHAY si7252adp.pdf Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
91+2.55 EUR
123+1.75 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix si7252adp.pdf MOSFETs PWRPK 100V 28.7A
auf Bestellung 33681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.59 EUR
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SI7252ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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136+1.21 EUR
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SI7252ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
122+1.76 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.46 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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65+3.9 EUR
91+2.55 EUR
123+1.75 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.49 EUR
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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Hersteller: Vishay / Siliconix
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auf Bestellung 33681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.99 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.59 EUR
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