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SI7252ADP-T1-GE3

SI7252ADP-T1-GE3 Vishay

si7252adp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5955 Stücke:
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Technische Details SI7252ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7252adp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.15 EUR
6000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7252adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5955 Stücke:
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Anzahl Preis
123+1.20 EUR
135+1.06 EUR
136+1.02 EUR
137+0.97 EUR
146+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si7252adp.pdf MOSFETs PWRPK 100V 28.7A
auf Bestellung 43524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.18 EUR
100+1.66 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.28 EUR
3000+1.15 EUR
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7252adp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 8266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.00 EUR
10+2.57 EUR
100+1.75 EUR
500+1.40 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7252adp.pdf Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3183559.pdf Description: VISHAY - SI7252ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 28.7 A, 28.7 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 28.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 28.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7252adp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7252ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7252adp.pdf SI7252ADP-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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