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SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7252dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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Technische Details SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7252dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7252DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7252dp.pdf SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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