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SI7252DP-T1-GE3

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Produktcode: 122330
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.05 EUR
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7252dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 44326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.64 EUR
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 25241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.57 EUR
52+4.55 EUR
61+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+2.05 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
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SI7252DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
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AnzahlPrivatkunde
4+5.24 EUR
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
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auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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34+7.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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