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SI7252DP-T1-GE3

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Produktcode: 122330
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7252dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 44326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.64 EUR
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 25241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002936679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.42 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
5000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.25 EUR
54+4.37 EUR
63+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.58 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 44326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.83 EUR
3000+1.64 EUR
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SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 25241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.24 EUR
10+3.4 EUR
100+2.34 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7252DP-T1-GE3 VISH-S-A0002936679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7252DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.42 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
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SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.25 EUR
54+4.37 EUR
63+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH