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SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7272dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.02 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 22W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 22W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SI7272DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.79 EUR bis 4.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.25 EUR
9000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7272dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 26447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+1.24 EUR
6000+1.21 EUR
9000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 Vishay si7272dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.46 EUR
118+1.43 EUR
140+1.18 EUR
250+1.15 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 Vishay si7272dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
117+1.38 EUR
118+1.32 EUR
140+1.07 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
130+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7272dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 7307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 VISHAY si7272dp.pdf Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
90+2.59 EUR
130+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7272dp.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPACK SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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SI7272DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.25 EUR
9000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 26447 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.24 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+1.46 EUR
118+1.43 EUR
140+1.18 EUR
250+1.15 EUR
500+1.07 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.69 EUR
117+1.38 EUR
118+1.32 EUR
140+1.07 EUR
250+1.02 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
130+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7272DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 7307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7272DP-T1-GE3 si7272dp.pdf
SI7272DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.7 EUR
90+2.59 EUR
130+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPACK SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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