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SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3 Vishay

si7288dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7288DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 15.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2551 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.94 EUR
53+1.36 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 15.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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7+2.62 EUR
10+1.99 EUR
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500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7288dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Anzahl Preis
2+2.64 EUR
10+2.01 EUR
100+1.50 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Produktcode: 160306
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