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SI7288DP-T1-GE3

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Produktcode: 160306
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.92 EUR
6000+0.86 EUR
9000+0.83 EUR
15000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7288dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 40250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+2.01 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.31 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.92 EUR
6000+0.86 EUR
9000+0.83 EUR
15000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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10+2.01 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
10+2.12 EUR
100+1.43 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
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