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SI7288DP-T1-GE3

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Produktcode: 160306
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.09 EUR
6000+1.02 EUR
9000+0.99 EUR
15000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+2.12 EUR
1500+2.08 EUR
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7288dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 40250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.39 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
82+2.83 EUR
115+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.96 EUR
6000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.09 EUR
6000+1.02 EUR
9000+0.99 EUR
15000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.17 EUR
500+2.12 EUR
1500+2.08 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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AnzahlPrivatkunde
2+3.14 EUR
10+2.39 EUR
100+1.78 EUR
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1000+1.29 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50416 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
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SI7288DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5335 Stücke:
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63+3.97 EUR
82+2.83 EUR
115+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+4.56 EUR
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