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SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

73419.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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Technische Details SI7308DN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Hersteller : VISHAY 73419.pdf Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SI7308DN-T1-E3 Hersteller : VISHAY 73419.pdf SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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