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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SI7308DN-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI7308DN-T1-E3 nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.56 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 19931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 |
auf Bestellung 3897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7308DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI7308DN-T1-E3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |