SI7309DN-T1-E3
Produktcode: 149663
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI7309DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7309DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 31167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7309DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
auf Bestellung 10540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7309DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7309DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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