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SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY

si7322adn.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+1.19 EUR
213+1.09 EUR
295+0.73 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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Technische Details SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SI7322ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.48 EUR
205+1.13 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7322adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix si7322adn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 138188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.48 EUR
205+1.13 EUR
256+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI7322ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SI7322ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 138188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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