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SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7326dn.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
auf Bestellung 1790 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix si7326dn.pdf MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
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SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7326dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7326dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
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