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Anzahl | Preis |
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93+ | 1.58 EUR |
99+ | 1.43 EUR |
100+ | 1.37 EUR |
103+ | 1.28 EUR |
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Technische Details SI7336ADP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote SI7336ADP-T1-E3 nach Preis ab 0.93 EUR bis 3.36 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 26750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 7557 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7336ADP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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