Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7336ADP-T1-GE3
SI7336ADP-T1-GE3

SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7336adp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote SI7336ADP-T1-GE3 nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 7397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.62 EUR
100+1.87 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7336adp.pdf MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V
auf Bestellung 7966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+3.39 EUR
100+2.73 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000185853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix si7336adp.pdf 08+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
SI7336ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 7397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.88 EUR
10+2.62 EUR
100+1.87 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
SI7336ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V
auf Bestellung 7966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.57 EUR
10+3.39 EUR
100+2.73 EUR
500+2.26 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 VISH-S-A0000185853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7336ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
08+
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH