SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.14 EUR |
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Technische Details SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Weitere Produktangebote SI7336ADP-T1-GE3 nach Preis ab 1.2 EUR bis 3.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SI7336ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V |
auf Bestellung 7966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7336ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
08+ |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7336ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7336ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |