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SI7414DN-T1-GE3

SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

71738.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Weitere Produktangebote SI7414DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.29 EUR bis 5.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 71738.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
auf Bestellung 5689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.39 EUR
100+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 71738.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 31400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.93 EUR
10+3.17 EUR
100+2.2 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.8 EUR
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SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000765491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 7267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
71+3.27 EUR
100+2.4 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.59 EUR
5000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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auf Bestellung 25500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7414DN-T1-GE3
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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Vgs (Max): ±20V
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Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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