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Technische Details SI7415DN-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI7415DN-T1-E3 nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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| SI7415DN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors |
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