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Technische Details SI7415DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI7415DN-T1-GE3 nach Preis ab 1.17 EUR bis 4.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 39766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
auf Bestellung 27094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.6A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7415DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.6A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A |
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