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Technische Details SI7421DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -9.8A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -9.8A, Gate charge: 40nC, On-state resistance: 43mΩ, Power dissipation: 3.6W, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8.
Weitere Produktangebote SI7421DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI7421DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8 |
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SI7421DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7421DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -9.8A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.8A Gate charge: 40nC On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 |
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