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SI7431DP-T1-E3

SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7431dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7431dp.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Hersteller : Vishay si7431dp.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7431dp.pdf MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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10+5.49 EUR
25+5.28 EUR
100+3.98 EUR
500+3.29 EUR
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
auf Bestellung 4041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.34 EUR
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001113187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001113187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7431DP-T1-E3 Hersteller : VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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