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SI7431DP-T1-E3

SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7431dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.9W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm.

Weitere Produktangebote SI7431DP-T1-E3 nach Preis ab 3.67 EUR bis 11.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Vishay si7431dp.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0001113187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.87 EUR
500+4.01 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Vishay si7431dp.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7431dp.pdf MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.64 EUR
10+5.9 EUR
100+4.57 EUR
500+4.06 EUR
1000+3.8 EUR
3000+3.71 EUR
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.65 EUR
100+4.74 EUR
500+3.93 EUR
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SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0017061268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.52 EUR
33+7.13 EUR
100+4.76 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7431DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Trans MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+5.01 EUR
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MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI7431DP-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7431DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
auf Bestellung 2880 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
22+11.52 EUR
33+7.13 EUR
100+4.76 EUR
500+4.15 EUR
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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