SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 12.3A, On-state resistance: 0.17Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 54.3W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 16.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI7434ADP-T1-RE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
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SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 250V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8 |
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SI7434ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: 250V Drain current: 12.3A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
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