SI7439DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 3.02 EUR |
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Technische Details SI7439DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SI7439DP-T1-E3 nach Preis ab 3.02 EUR bis 8.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI7439DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 2346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7439DP-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 6208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7439DP-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 3302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7439DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.96 EUR |
| 10+ | 5.28 EUR |
| 100+ | 3.77 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| 3000+ | 3.15 EUR |
| SI7439DP-T1-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.29 EUR |
| 10+ | 5.5 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
| SI7439DP-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SI7439DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 0.09 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 3302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH


