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SI7450DP-T1-GE3

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Produktcode: 86304
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.52 EUR
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.97 EUR
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+2.07 EUR
71+1.97 EUR
72+1.87 EUR
100+1.76 EUR
250+1.67 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 70
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
auf Bestellung 4854 Stücke:
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Anzahl Preis
4+4.98 EUR
10+3.33 EUR
100+2.57 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7450dp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 959 Stücke:
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1+5.97 EUR
10+3.92 EUR
100+2.75 EUR
500+2.25 EUR
3000+2.13 EUR
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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