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SI7450DP-T1-GE3

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Produktcode: 86304
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.86 EUR
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.52 EUR
71+2.45 EUR
72+2.36 EUR
100+2.27 EUR
250+2.2 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.52 EUR
71+2.39 EUR
72+2.27 EUR
100+2.15 EUR
250+2.03 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
51+4.62 EUR
100+3.32 EUR
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7450dp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1+7.25 EUR
10+4.76 EUR
100+3.45 EUR
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1000+2.68 EUR
3000+2.53 EUR
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.52 EUR
71+2.45 EUR
72+2.36 EUR
100+2.27 EUR
250+2.2 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.05 EUR
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.52 EUR
71+2.39 EUR
72+2.27 EUR
100+2.15 EUR
250+2.03 EUR
500+1.92 EUR
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7.07 EUR
51+4.62 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3002 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+7.22 EUR
10+4.74 EUR
100+3.31 EUR
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SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 15 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+7.25 EUR
10+4.76 EUR
100+3.45 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.68 EUR
3000+2.53 EUR
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