SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3

Produktcode: 86304
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

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Technische Details SI7450DP-T1-GE3

Preis SI7450DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7450DP-T1-GE3
SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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auf Bestellung 4477 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SI7450DP-T1-GE3
SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7450DP-T1-GE3
SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 19153 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI7450DP-T1-GE3
SI7450DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
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