SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.91 EUR |
| 10+ | 3.48 EUR |
| 100+ | 2.82 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 1.92 EUR |
| 3000+ | 1.78 EUR |
| 6000+ | 1.7 EUR |
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Technische Details SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, On-state resistance: 40mΩ, Power dissipation: 4.8W, Drain current: 7.8A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 30A, Drain-source voltage: 100V.
Weitere Produktangebote SI7454DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI7454DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7454DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 4.8W Drain current: 7.8A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 100V |
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