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SI7454DP-T1-GE3

SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors


si7454dp.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Technische Details SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 7.8A, Pulsed drain current: 30A, Power dissipation: 4.8W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchFET®, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7454DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7454dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7454DP-T1-GE3 SI7454DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7454dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
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SI7454DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7454dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
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