Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7456DDP-T1-GE3
SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7456ddp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI7456DDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.01 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+1.29 EUR
115+1.23 EUR
117+1.17 EUR
126+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.47 EUR
114+1.24 EUR
115+1.18 EUR
117+1.12 EUR
126+1.00 EUR
250+0.95 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7456ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
auf Bestellung 4685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.55 EUR
10+1.92 EUR
100+1.59 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7456ddp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 9705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.01 EUR
10+2.13 EUR
100+1.65 EUR
250+1.60 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7456ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7456ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH