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SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7456DDP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0999, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 35.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7456ddp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7456ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
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5+4.71 EUR
10+3.02 EUR
50+2.3 EUR
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SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY si7456ddp.pdf Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0999
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
directShipCharge: 25
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54+4.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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182+0.89 EUR
183+0.84 EUR
188+0.8 EUR
250+0.76 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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10+2.26 EUR
100+2.07 EUR
500+1.65 EUR
3000+1.46 EUR
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
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Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
directShipCharge: 25
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52+4.84 EUR
54+4.32 EUR
59+3.67 EUR
100+3.32 EUR
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