SI7460DP-T1-E3
Produktcode: 49740
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote SI7460DP-T1-E3 nach Preis ab 1.07 EUR bis 6.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7460DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 772 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 6959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
auf Bestellung 2138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 18A Power dissipation: 5.4W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V |
Produkt ist nicht verfügbar |