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SI7461DP-T1-GE3

si7461dp.pdf
Produktcode: 196585
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.8 EUR
62+2.25 EUR
63+2.15 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.8 EUR
62+2.25 EUR
63+2.15 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+3.11 EUR
100+2.13 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
32+2.26 EUR
100+1.6 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7461dp.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.63 EUR
10+3.66 EUR
100+2.57 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.01 EUR
3000+1.88 EUR
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
auf Bestellung 22843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.68 EUR
10+3.71 EUR
100+2.58 EUR
500+2.1 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7461dp.pdf MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7461dp.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,6 А, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 14,5 мОм @ 14,4 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: POWERPAK SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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