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SI7461DP-T1-GE3

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Produktcode: 196585
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
62+2.74 EUR
63+2.62 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.4 EUR
62+2.8 EUR
63+2.71 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.78 EUR
100+2.65 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.13 EUR
32+2.69 EUR
100+1.9 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7461dp.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+4.36 EUR
100+3.06 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.39 EUR
3000+2.24 EUR
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
auf Bestellung 22843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
46+5.08 EUR
100+3.3 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 VISH-S-A0001142051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.26 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.4 EUR
62+2.74 EUR
63+2.62 EUR
100+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.4 EUR
62+2.8 EUR
63+2.71 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 1757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.78 EUR
100+2.65 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1757 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
21+4.13 EUR
32+2.69 EUR
100+1.9 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.7 EUR
10+4.36 EUR
100+3.06 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.39 EUR
3000+2.24 EUR
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SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
auf Bestellung 22843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.76 EUR
10+4.41 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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35+7.34 EUR
46+5.08 EUR
100+3.3 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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