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SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3 Vishay

si7461dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7461DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay doc72567.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
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44+1.64 EUR
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
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Produktcode: 196585
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
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62+2.43 EUR
69+2.09 EUR
70+2.00 EUR
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250+1.58 EUR
500+1.46 EUR
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7461dp.pdf MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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10+3.15 EUR
100+2.50 EUR
500+2.13 EUR
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
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10+3.71 EUR
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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