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SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7540ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay si7540adp.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7540adp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay si7540adp.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 16112 Stücke:
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115+1.54 EUR
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay si7540adp.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9120 Stücke:
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93+1.89 EUR
104+1.57 EUR
112+1.4 EUR
250+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1.07 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay si7540adp.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.89 EUR
104+1.64 EUR
112+1.48 EUR
250+1.44 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.21 EUR
6000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 121057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7540adp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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1+4.46 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.51 EUR
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7540adp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 4851 Stücke:
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5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 121057 Stücke:
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44+5.72 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SI7540ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+1.37 EUR
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Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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93+1.89 EUR
104+1.57 EUR
112+1.4 EUR
250+1.33 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.09 EUR
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6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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104+1.64 EUR
112+1.48 EUR
250+1.44 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.24 EUR
3000+1.21 EUR
6000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7540ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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100+2.17 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.46 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.51 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 4851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 121057 Stücke:
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44+5.72 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.59 EUR
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Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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