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SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3 Vishay

si7540adp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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Technische Details SI7540ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7540adp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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Anzahl Preis
93+1.59 EUR
104+1.32 EUR
112+1.18 EUR
250+1.12 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.90 EUR
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Mindestbestellmenge: 93
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7540adp.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
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10+2.34 EUR
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250+1.78 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.35 EUR
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7540adp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
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5+4.03 EUR
10+2.59 EUR
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500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7540adp.pdf Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002932829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 122051 Stücke:
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7540adp.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7540ADP-T1-GE3 SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7540adp.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7540adp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI7540ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7540adp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
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