SI7615ADN-T1-GE3
Produktcode: 144688
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 18745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 18758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
auf Bestellung 871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V |
auf Bestellung 94177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 16265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
auf Bestellung 8478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
auf Bestellung 8478 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7615ADN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -35A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 183nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI7615ADN-T1-GE3 | Siliconix |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI7615ADN-T1-GE3 | Siliconix |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.63 EUR |
| 9000+ | 0.56 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 18745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.05 EUR |
| 195+ | 0.88 EUR |
| 224+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 3000+ | 0.5 EUR |
| 9000+ | 0.45 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 152+ | 1.15 EUR |
| 176+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 18758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.34 EUR |
| 168+ | 1 EUR |
| 195+ | 0.83 EUR |
| 225+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 3000+ | 0.44 EUR |
| 9000+ | 0.39 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 104+ | 1.68 EUR |
| 147+ | 1.18 EUR |
| 169+ | 1 EUR |
| 200+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 104+ | 1.68 EUR |
| 147+ | 1.15 EUR |
| 169+ | 0.96 EUR |
| 200+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
auf Bestellung 94177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.49 EUR |
| 14+ | 1.56 EUR |
| 50+ | 1.15 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 16265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.51 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 3000+ | 0.63 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 8478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.62 EUR |
| 148+ | 1.57 EUR |
| 167+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1500+ | 0.99 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 8478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.62 EUR |
| 148+ | 1.57 EUR |
| 167+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1500+ | 0.99 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 1.5 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 3.31 EUR |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 3.31 EUR |
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| 220 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-220R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 38888
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![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 220 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 220 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 1200 St.
- 1200 St. - stock Köln
erwartet: 20000 St.
- 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 3508 St.
- 3508 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 310+ | 0.0039 EUR |
| 360+ | 0.0033 EUR |
| 1000+ | 0.0031 EUR |
| 10000+ | 0.0018 EUR |
| 10 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 27263
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
auf Bestellung: 19600 St.
- 19600 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 310+ | 0.0039 EUR |
| 360+ | 0.0033 EUR |
| 1000+ | 0.0031 EUR |
| 10000+ | 0.0018 EUR |
| 100 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-100KR-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 27260
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 100 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 100 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 4800 St.
- 4800 St. - stock Köln
auf Bestellung: 30000 St.
- 30000 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 310+ | 0.0039 EUR |
| 360+ | 0.0033 EUR |
| 1000+ | 0.0031 EUR |
| 10000+ | 0.0018 EUR |
| 20 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-20R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 17831
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 20 Ohm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 20 Ohm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
- 1200 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
- 10000 St. - erwartet 06.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.043 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |
| 10000+ | 0.0086 EUR |
| 15 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-15R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 4081
1
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 15 Ohm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 15 Ohm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
- 1200 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
- 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 186 St.
- 186 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.043 EUR |
| 1000+ | 0.011 EUR |
| 10000+ | 0.0086 EUR |







