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SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

si7615adn.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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Technische Details SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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291+0.49 EUR
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6000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 291
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7615adn.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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Mindestbestellmenge: 4
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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221+0.60 EUR
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1000+0.38 EUR
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -80A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
90+0.80 EUR
106+0.68 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
154+0.47 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7615adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A; 33W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -80A
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Produktcode: 144688
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
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19+0.98 EUR
100+0.70 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7615adn.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7615adn.pdf Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si7615adn.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH