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SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Name: SI7615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 40583084-5
Price: 1230.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Technische Details SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

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Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

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10+	1.85 EUR
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500+	0.59 EUR
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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0001142019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Siliconix

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Siliconix

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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SI7615ADN-T1-GE3
Produktcode: 144688

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

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