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SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Name: SI7615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 21831832-5
Price: 1050 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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Technische Details SI7615ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SI7615ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.27 EUR bis 2.82 EUR

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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3000+	0.32 EUR
6000+	0.27 EUR

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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294+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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10+	0.76 EUR
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500+	0.53 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.42 EUR
6000+	0.40 EUR

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SI7615ADN-T1-GE3
Produktcode: 144688

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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157+	0.94 EUR
207+	0.69 EUR
220+	0.63 EUR
221+	0.60 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.38 EUR

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

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1000+	0.52 EUR

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : VISHAY

SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Siliconix

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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10+	2.82 EUR

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SI7615ADN-T1-GE3

Hersteller : Siliconix

Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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Anzahl	Preis
10+	2.82 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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