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SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3 Vishay

si7619dn.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details SI7619DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 27.8W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7619dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.52 EUR
15000+0.5 EUR
21000+0.49 EUR
30000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay si7619dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.69 EUR
303+0.56 EUR
372+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
233+0.73 EUR
237+0.68 EUR
278+0.56 EUR
372+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0007770804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.69 EUR
184+1.26 EUR
250+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7619dn.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 31475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
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1000+0.68 EUR
3000+0.6 EUR
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SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7619dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 91591 Stücke:
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9+2.34 EUR
15+1.46 EUR
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1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SI7619DN-T1-GE3 SI7619DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0007770804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 24A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 12366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
143+1.62 EUR
217+0.99 EUR
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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SI7619DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.6 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.52 EUR
15000+0.5 EUR
21000+0.49 EUR
30000+0.48 EUR
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SI7619DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+0.69 EUR
303+0.56 EUR
372+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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auf Bestellung 403 Stücke:
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233+0.73 EUR
237+0.68 EUR
278+0.56 EUR
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SI7619DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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184+1.26 EUR
250+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 31475 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.34 EUR
10+1.46 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 91591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.34 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 12366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+2.8 EUR
143+1.62 EUR
217+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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