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SI7625DN-T1-GE3

Name: SI7625DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 11934032-5
Price: 147.01 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 49737

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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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SI7625DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

241+	0.73 EUR

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SI7625DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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SI7625DN-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

166+	1.05 EUR
181+	0.93 EUR
183+	0.88 EUR
207+	0.75 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 166 Stücke

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Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7625DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

auf Bestellung 4440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.67 EUR
132+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SI7625DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 67389 Stücke:

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2+	3 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.87 EUR

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SI7625DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V

auf Bestellung 1671 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.25 EUR
11+	2.06 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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SI7625DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

auf Bestellung 4440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	4.47 EUR
87+	2.67 EUR
132+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.18 EUR

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SI7625DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Anzahl	Privatkunde
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SI7625DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Anzahl	Privatkunde
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SI7625DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Anzahl	Privatkunde
166+	1.05 EUR
181+	0.93 EUR
183+	0.88 EUR
207+	0.75 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR

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SI7625DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7625DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SI7625DN-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

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SI7625DN-T1-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V

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Anzahl	Privatkunde
7+	3.25 EUR
11+	2.06 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.99 EUR

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

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Anzahl	Privatkunde
56+	4.47 EUR
87+	2.67 EUR
132+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.18 EUR

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