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Technische Details SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20nC, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 3.7W, Drain current: 14A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A.
Weitere Produktangebote SI7806ADN-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI7806ADN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 |
auf Bestellung 2352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI7806ADN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
08+ |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7806ADN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
08+NOP |
auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI7806ADN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
09+ |
auf Bestellung 40038 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7806ADN-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7806ADN-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 3.7W Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 40A |
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