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SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors


72995.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 14A 0.011Ohm
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Technische Details SI7806ADN-T1-E3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20nC, On-state resistance: 16mΩ, Power dissipation: 3.7W, Drain current: 14A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 40A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix 72995.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
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SI7806ADN-T1-E3 Hersteller : VISHAY 72995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 3.7W
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
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Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 3.7W
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