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Technische Details SI7850ADP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SI7850ADP-T1-GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.2 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V |
auf Bestellung 5768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 14233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0195 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7850ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Gate charge: 17nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 35.7W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V |
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