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Technische Details SI7850DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7850DP-T1-E3 nach Preis ab 1.00 EUR bis 4.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
auf Bestellung 14083 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 3148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 10.3A; Idm: 40A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 10.3A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SI7850DP-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 10.3A; Idm: 40A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 10.3A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD |
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