SI7850DP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.73 EUR |
| 33+ | 2.22 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 50+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.03 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details SI7850DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SI7850DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 4.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Gate charge: 27nC On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 6.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V |
auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
auf Bestellung 1721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 4943 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7850DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
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