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SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7852ad.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
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Technische Details SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V.

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SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7852ad.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2179 Stücke:
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84+1.71 EUR
85+1.56 EUR
100+1.34 EUR
250+1.25 EUR
500+1.12 EUR
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SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7852ad.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7852ad.pdf MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
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SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7852ad.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
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SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7852ad.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7852ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7852ad.pdf SI7852ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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