Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7852ADP-T1-GE3
SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7852ad.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V.

Weitere Produktangebote SI7852ADP-T1-GE3 nach Preis ab 1.19 EUR bis 5.99 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Vishay si7852ad.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.32 EUR
84+2.05 EUR
85+1.88 EUR
100+1.62 EUR
250+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Vishay si7852ad.pdf description Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.32 EUR
84+2.09 EUR
85+1.99 EUR
100+1.75 EUR
250+1.68 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7852ad.pdf description MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
auf Bestellung 4674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.92 EUR
100+2.31 EUR
250+2.26 EUR
500+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7852ad.pdf description Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
auf Bestellung 4333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
10+3.88 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
SI7852ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.32 EUR
84+2.05 EUR
85+1.88 EUR
100+1.62 EUR
250+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
SI7852ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+2.32 EUR
84+2.09 EUR
85+1.99 EUR
100+1.75 EUR
250+1.68 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
SI7852ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
auf Bestellung 4674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.8 EUR
10+2.92 EUR
100+2.31 EUR
250+2.26 EUR
500+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
SI7852ADP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
auf Bestellung 4333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.99 EUR
10+3.88 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH