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Technische Details SI7858BDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI7858BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.73 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI7858BDP-T1-GE3 |
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auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8 |
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| SI7858BDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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