SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1 EUR |
| 6000+ | 0.93 EUR |
| 9000+ | 0.9 EUR |
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Technische Details SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Weitere Produktangebote SI7858BDP-T1-GE3 nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 2137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7858BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V |
auf Bestellung 27418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI7858BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SI7858BDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SI7858BDP-T1-GE3 |
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auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SI7858BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.41 EUR |
| 10+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 3000+ | 1.05 EUR |
| SI7858BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.54 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| SI7858BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI7858BDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SI7858BDP-T1-GE3 |
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auf Bestellung 84000 Stücke:
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