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SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7858bd.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
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6000+1.11 EUR
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Technische Details SI7858BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Weitere Produktangebote SI7858BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.84 EUR bis 6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SI7858BDP-T1-GE3 SI7858BDP-T1-GE3 Vishay si7858bd.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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113+1.52 EUR
115+1.48 EUR
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250+1.23 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
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SI7858BDP-T1-GE3 SI7858BDP-T1-GE3 Vishay si7858bd.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.75 EUR
113+1.43 EUR
115+1.36 EUR
131+1.14 EUR
250+1.08 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7858BDP-T1-GE3 SI7858BDP-T1-GE3 VISHAY si7858bd.pdf Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.84 EUR
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10+2.64 EUR
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3000+1.25 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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66+3.55 EUR
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Description: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
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Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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