Produkte > VISHAY SILICONIX > SI7884BDP-T1-GE3
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7884bd.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V.

Weitere Produktangebote SI7884BDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.94 EUR bis 2.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.64 EUR
10+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si7884bd.pdf MOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
auf Bestellung 8674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.71 EUR
10+2.39 EUR
25+2.38 EUR
100+2.22 EUR
500+2.16 EUR
1000+2.11 EUR
3000+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.79 EUR
64+2.23 EUR
65+2.13 EUR
100+1.63 EUR
250+1.55 EUR
500+1.30 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.79 EUR
64+2.23 EUR
65+2.13 EUR
100+1.63 EUR
250+1.55 EUR
500+1.30 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay si7884bd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7884bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7884BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si7884bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 50A; 46W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 46W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH